Quando una corrente ii scorre in un conduttore piatto immerso in un campo magnetico B\vec{B} perpendicolare al piano della corrente, appare una differenza di potenziale trasversale: è l’effetto Hall (Edwin Hall, 1879).

Effetto Hall: la corrente in un campo trasverso accumula cariche su un bordo, creando una tensione ΔVH\Delta V_H perpendicolare alla corrente.

Spiegazione fisica. La corrente è dovuta a portatori di carica qq (positivi o negativi a seconda del materiale) con velocità di deriva vdv_d. Su ognuno agisce la forza di Lorentz F=qvd×B\vec{F} = q\,\vec{v}_d\times\vec{B} che li spinge verso un bordo del conduttore. Le cariche accumulate lì creano un campo elettrico trasverso EH\vec{E}_H che a regime equilibra la forza magnetica:

qEH=qvdBVH=vdBwq\,E_H = q\,v_d\,B \quad\Longrightarrow\quad \ev{V_H = v_d\,B\,w}

dove ww è la larghezza del conduttore. Inserendo vd=i/(neA)v_d = i/(n\,e\,A), con nn densità di portatori e A=wtA = w\,t sezione (tt spessore):

VH=iBnetV_H = \frac{i\,B}{n\,e\,t}

Formula chiave — Effetto Hall

VH=iBnetV_H = \frac{iB}{net} RH=1/(ne)R_H = 1/(ne): coefficiente di Hall, dipende solo dal materiale. Il segno di VHV_H rivela il segno della carica dei portatori.

Principio — Conseguenze dell'effetto Hall

  • Fornisce una misura diretta di nn (densità di portatori) e del segno della carica: in alcuni semiconduttori VHV_H ha segno opposto a quello previsto per gli elettroni, indicando portatori effettivi positivi (le lacune).
  • Le sonde Hall sono usate ovunque serva misurare B\vec{B} elettronicamente: motori brushless, sensori ABS automotive, pedali magnetici, pickup di chitarra.
  • Su scala micro, l’effetto Hall quantistico (von Klitzing, 1980; Nobel 1985) mostra che a basse temperature e campi intensi VHV_H è quantizzato in multipli interi o frazionari di h/e2h/e^2, definendo lo standard primario di resistenza (RK=h/e225812  ΩR_K = h/e^2 \approx 25\,812\;\Omega).

Esempio — Sonda Hall di laboratorio

Una lamina di indio antimoniuro (InSb) ha spessore t=0,1  mmt = 0{,}1\;\text{mm}, larghezza w=5  mmw = 5\;\text{mm} e densità di portatori n=2,51022  m3n = 2{,}5\cdot 10^{22}\;\text{m}^{-3}. Con i=100  mAi = 100\;\text{mA} in un campo B=0,5  TB = 0{,}5\;\text{T}: VH=iBnet=0,10,52,510221,610191040,125  V=125  mVV_H = \frac{iB}{net} = \frac{0{,}1\cdot 0{,}5}{2{,}5\cdot 10^{22}\cdot 1{,}6\cdot 10^{-19}\cdot 10^{-4}} \approx 0{,}125\;\text{V} = 125\;\text{mV} Ben misurabile con un voltmetro standard. In un metallo (n1029  m3n \approx 10^{29}\;\text{m}^{-3}) la stessa configurazione darebbe VH30  μVV_H \sim 30\;\mu\text{V}: per questo le sonde Hall si fanno con semiconduttori, non con metalli — pochi portatori, tensione grande.

Sintesi

Hall: VH=iB/(net)V_H = iB/(net). Misura BB, nn e il segno dei portatori. Le sonde Hall sono il magnetometro più diffuso al mondo.

Collegamenti

Argomenti: Magnetismo Concetti: Effetto Hall · Forza di Lorentz

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